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IGBT模塊

一、AMB陶瓷基板
隨著我國(guó)新能源汽車、高鐵、城市軌道交通以及智能電網(wǎng)的高速發(fā)展,對(duì)高壓大功率|GBT模塊的需求日益增長(zhǎng)。由于IGBT輸出功率高、發(fā)熱量大,芯片散熱不良將導(dǎo)致|GBT模塊失效。據(jù)報(bào)道,約70%的IGBT模塊失效歸因于散熱不良引起的鍵合線剝離或熔斷。芯片的散熱主要通過1GBT模塊中的AMB陶瓷基板來實(shí)現(xiàn),其作用是吸收芯片的產(chǎn)熱并傳導(dǎo)至熱沉上,從而實(shí)現(xiàn)芯片與外界之間的熱交換。因此,陶瓷散熱基板的AMB活性釬覆銅工藝是關(guān)鍵。提供產(chǎn)品:AgCuTi銀銅鈦粉狀/膏狀、AgCulnTi銀銅銦鈦粉狀/膏狀。

二、芯片粘接
應(yīng)用場(chǎng)景:芯片與DBC基板、DBC基板與底板實(shí)現(xiàn)可靠焊接。
技術(shù)特點(diǎn):低空洞率、雜質(zhì)含量少。
提供產(chǎn)品:高潔凈焊片。

 

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